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[ml] 電子デバイス界面テクノロジー研究会（第30回）の参加募集のご案内

対象：会員および一般

速報発信者；渡部平司（応用物理学会薄膜・表面物理分科会）

＜日本表面真空学会協賛＞
応用物理学会薄膜・表面物理分科会、シリコンテクノロジー分科会共催特別研究会
電子デバイス界面テクノロジー研究会（第30回）の参加募集のご案内

2025年1月22日(水)夜-1月24日(金)に「第30回電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（EDIT30）を静岡県総合コンベンション施設プラザヴェルデ(静岡県沼津市)にて開催いたします。
本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し，第21回より一層スコープを広げ，新たな名称のもとスタートしました。国内外からの招待講演者のほかに，研究会前日にはチュートリアルを開催します。
現在、参加募集しておりますので、ご検討お願い致します。

【研究会HP】 http://edit-ws.jp/

【日時】
2025年1月22日(水)夜-1月24日(金)
（1月22日夜：チュートリアル、1月23日-24日：研究会）

【場所】
静岡県総合コンベンション施設プラザヴェルデ
〒410-0801 静岡県沼津市大手町１丁目１−４

【招待講演者（敬称略）】
Ⅰ チュートリアル講演
・生田目俊英 (物質・材料研究機構)
「まだまだ奥深いALD（原子層堆積）技術」

Ⅱ 基調講演
・白田理一郎 (国立精華大学)
「NANDフラッシュメモリの開発経緯及び次世代メモリに期待すること」
・波多野睦子 (東京工業大学)
「TBA]

Ⅲ 企画セッション
“最先端半導体デバイスの開発動向（仮題）”
・4件程度の講演を予定

Ⅳ 招待講演
・奥山亮輔 (SUMCO)
「CMOSイメージセンサの特性向上に寄与する新たな機能性シリコンウェーハの研究」
・株柳翔一 (キオクシア)
「高速メモリ応用を見据えたChannel-All-Around型強誘電体トランジスタの動作実証（仮題）」
・久野拓馬 (日立製作所)
「大規模集積シリコン量子コンピュータに向けたConcatenated Continuous Drivingによるスピン量子ビットの寿命延長技術」（仮題）」
・白石賢二 (名古屋大学)
「第一原理量子論で見るシリコンテクノロジー（仮題）」
・野秋淳一 (日本サムスン)
「シリコン酸化膜のためのReaxFF開発と原子レベルプロセス評価」
・宮迫毅明 (村田製作所)
「CSD法を用いた酸化物薄膜材料及びデバイス応用に関する検討（仮題）」
＊予定分は、決定次第随時ホームページで更新致します。

【参加費（消費税込）】（早期割引は12月28日まで）
薄膜・表面物理分科会及び Siテクノロジー分科会会員 32,000円（早期17,000円）
応用物理学会・協賛学協会員 32,000円（早期21,000円）
一般 32,000円（早期26,000円）
一般（オンライン） 30,000円（早期21,000円）
学生およびシニア(2024年12月31日時点で満65歳以上) 15,000円（早期10,000円）
※薄膜及びSiテクノロジー分科会賛助会社の方は分科会会員扱い，応用物理学会賛助会社の方は応用物理学会会員扱いとします。

【問合わせ先】
EDIT30事務局　E-mail: registration@edit-ws.jp

*予稿集への広告掲載を募集します（5万円/A4白黒1ページ）。
詳細は上記までお問い合わせ下さい。

＜本メールは日本表面真空学会より会員の皆様宛に配信しております。＞