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[ml] 【本日締切】スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第179回定例研究会のご案内

対象：会員および一般

速報発信者；中野武雄（成蹊大学、日本表面真空学会SP部会長）

＊本日締切ですので再度ご案内申し上げます。

スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
第179回定例研究会
「次世代高周波デバイスと設計・評価技術」

情報通信インフラは電気ガス、水道、交通などのライフラインと並んで、もはや生活に欠かせない社会基盤となりました。高度化のスピードは非常に速く、4G/LTEから5Gへ移行しつつ、2030年代のbeyond5G/6Gに向けた技術開発が進められています。次世代の超高速通信、超大容量化等の実現にはデバイスの高周波化は不可欠であり、それに伴い高周波特性に優れた材料開発や設計・評価技術の重要性も増しています。今回、高周波デバイスに応用可能な材料、設計、回路技術に関して当分野で最先端のご研究を行われている先生方をお招きしました。本研究会により、スパッタリングおよびプラズマプロセス分野の新しい知見や異分野融合の推進を期待します。多くの皆様のご参加を心よりお待ち申し上げます。

開催日時： 2024年10月3日（木）13:30～16:40
開催場所：機械振興会館 6階 6-67会議室（東京都港区芝公園3-5-8）

プログラム： ※講演時間40分（質疑応答5分間含む）
13:30～13:35　開会の挨拶
　日本表面真空学会SP部会部会長中野武雄（成蹊大学）
13:35～14:15 「タンデムスパッタ法を用いた高周波ナノグラニュラー膜の創生と応用」
　直江正幸（電磁材料研究所）
14:15～14:55 「圧電・強誘電体としてのウルツ鉱型窒化物の材料開発」
　上原雅人（産業技術総合研究所九州センター）
14:55～15:15　休憩
15:15～15:55「非磁性電磁ノイズ抑制シートの等価モデル化と設計応用」
　室賀翔（東北大学）
15:55～16:35 「4G/5G向け高周波フロントエンドSOI CMOS集積回路の技術と設計」
　金城良守（大阪工業大学）
16:35～16:40　閉会の挨拶
　日本表面真空学会SP部会副部会長清水徹英（東京都立大学）

参加費（資料代・消費税を含む）
　SP部会員：無料
　日本表面真空学会個人正会員：23,000円
　日本表面真空学会法人正会員、維持会員、賛助会員に属する方：18,000円
　教育機関、公的機関に属する方：12,000円
　学生： 5,000円
　一般：28,000円

参加定員： 50名（先着順にて定員に達し次第締め切ります。）
申込方法：ホームページよりお申込みください。https://www.jvss.jp/
申込締切： 2024年9月19日（木）
問合せ先：公益社団法人日本表面真空学会事務局
　　　　　 E-mail: office＠jvss.jp