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[ml_595] 第28回電子デバイス界面テクノロジー研究会「－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」のご案内

対象：会員および一般

速報発信者；住友弘二（応用物理学会薄膜・表面物理分科会幹事長）

本研究会は、産・官・学の第一線の研究者がデバイス界面に関する様々なテーマについて
基礎から応用まで理論と実験の両面から深く議論し，関連分野の発展に貢献することを
目的としています。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表もございます。
皆様のふるってのご参加をお待ちしております。

■日時：2023年2月3日(金)～2月4日(土)

■場所：東レ総合研修センター（静岡県三島市）

■プログラム：
Ⅰ チュートリアル講演
井上史大 (横浜国立大学)
「前工程と後工程の垣根を超えた3D集積技術」

Ⅱ 基調講演
川畑史郎 (産業技術総合研究所)
「量子未来社会のための量子コンピュータ技術：基礎から最先端まで」

小池淳義 (ウエスタンデジタルジャパン)
「TBA」

Ⅲ 海外招待講演
TBA

Ⅳ 招待講演
吾郷浩樹 (九州大学)
「2次元物質から2.5次元物質科学へ（仮）」

須賀唯知 (東京大学／明星大学)
「先端3D集積技術としての表面活性化常温接合」

田中啓安 (キオクシア株式会社)
「BiCS(3D-Flashメモリ)技術の現状と展望(仮)」

浜井貴将(キオクシア株式会社)
「HfO-FeFETの動作メカニズム解析」

Ⅴ 企画セッション
“カーボンニュートラルに貢献する半導体産業”
パネリストなど詳細は決まり次第HPに掲載いたします．

■参加費：
応用物理学会会員・協賛学協会会員：21,000円
学生およびシニア（2022年12月31日時点で満65歳以上）：10,000円
一般：26,000円
当日一般：30,000円