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[ml] スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第186回定例研究会のご案内

[ml] スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）第186回定例研究会のご案内

対象：会員および一般

速報発信者；中野武雄（成蹊大学、日本表面真空学会SP部会長）

スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会（SP部会）
第186回定例研究会
「反応性スパッタリングによる次世代機能性薄膜の最前線」

反応性スパッタリングは、酸化物・窒化物などの機能性薄膜形成に広く用いられる重要な成膜プロセスであり、半導体薄膜やエネルギーデバイスを
はじめとする多岐にわたる分野において基盤技術として利用されている。一方で、プロセスの安定化、膜組成・結晶性の精密制御、さらにはプラズ
マ状態の理解と制御など、基礎から応用に至るまで多くの課題と発展の余地が残されている。近年では、反応性スパッタリングにおける非平衡成長
制御や機能性薄膜の高機能化に関する研究が著しく進展しており、特に磁性薄膜材料におけるスピン機能の発現・制御を通じたスピントロニクス応
用への展開が期待されている。本研究会では、「反応性スパッタとその機能性」をテーマとして、これらの最先端の研究動向や応用事例について、
大学・国立研究機関・企業でご活躍中の講師の先生方をお招きし、ご講演いただく予定である。分野を越えた活発な意見交換と交流の場としてもご
活用いただきたく、新たな研究の方向性や連携の可能性について議論する場となることを期待しています。

日時：2026年6月10日（水）13:00～16:55
場所：機械振興会館 6階 6-65会議室
　　（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8）

プログラム：
13:00～13:05　開会の挨拶
　日本表面真空学会SP部会部会長（成蹊大学）中野武雄
13:10～13:50　SP部会賞受賞記念講演
「EC7430誘電体膜成膜用スパッタリング装置の開発・製品化」
（キヤノンアネルバ株式会社）花咲武典
13:50～14:30
「反応性スパッタリング法による酸化鉄薄膜成長とプラズマ発光スペクトル分析」
（筑波大学）柳原英人
14:30～15:10
「反応性スパッタリング法で作製する二次元層状物質マキシンの開発と磁気メモリデバイスへの展開」
（物質・材料研究機構）磯上慎二
15:10～15:30　休憩
15:30～16:10
「遷移金属酸化物エピタキシャル薄膜における水素誘起量子相転移とその応用」
（大阪大学）田中秀和
16:10～16:50
「反応性スパッタリング法による ScAlN薄膜の成長と圧電性評価」
（早稲田大学）柳谷隆彦
16:50～16:55　閉会の挨拶
　日本表面真空学会SP部会副部会長（東京都立大学）清水徹英