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[ml] 第31回電子デバイス界面テクノロジー研究会の案内

対象：会員および一般

速報発信者；渡部平司（応用物理学会薄膜・表面物理分科会幹事長）

＜日本表面真空学会協賛＞
2026年1月29日(木)～1月30日(金)に「電子デバイス界面テクノロジー研究会 －材料・プロセス・デバイス特性の物理－（第31回）」（EDIT31）を東レ総合研修センター(静岡県三島市)にて開催いたします。

本研究会は1996年から2015年まで20回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」、「ゲートスタック研究会 ―材料・プロセス・評価の物理―」の歴史を継承し、第21回より一層スコープを広げ、新たな名称のもとスタートしました。国内外からの招待講演者のほかに、一般の口頭発表とポスター発表を広く募集して開催します。

参加登録の早期割引は12月26日（金）までとなります。
詳細は研究会ホームページにてご確認ください。

【研究会HP】
https://edit-ws.jp/

【日時】
2026年1月29日(木)-1月30日(金)

【場所】
東レ総合研修センター
〒411-0032 静岡県三島市末広町21-9

【招待講演者（敬称略）】
Ⅰ チュートリアル講演
・高木 信一（帝京大学）
「TBA」

Ⅱ 基調講演
・齋藤 真澄（キオクシア）
「３Ｄ不揮発メモリの最新研究動向」
・小椋 厚志（明治大学）
「ナノシートFETにおけるSi・SiGeエピ技術（仮）」

Ⅲ 企画セッション
"EUVリソグラフィ技術の歴史と将来（仮題）"
・4件程度の講演を予定

Ⅳ 招待講演
・押山 淳（東北大学）
「新しい電子状態Floating Stateが支配する電子デバイス（仮）」
・川那子 高暢（産総研）
「二次元チャネル材料 創製、デバイス、コンタクト（仮）」
・黒澤 昌志（名古屋大学）
「Ⅳ族元素からなる二次元物質（仮）」
・齊藤 雄太（東北大学）
「カルコゲナイド材料薄膜の創生とデバイス応用（仮）」
・山本 圭介（熊本大学）
「金属/IV族半導体の界面制御技術（仮）」

＊予定分は、決定次第随時ホームページで更新致します。

【問合わせ先】
EDIT31事務局 E-mail: registration@edit-ws.jp
ホームページ： https://edit-ws.jp/
詳細は上記までお問い合わせ下さい。

＜本メールは日本表面真空学会より会員の皆様宛に配信しております。＞