日本表面真空学会 スパッタリングおよびプラズマプロセス技術部会

2026年6月10日（水）13:00～16:55（受付開始12:30～）

機械振興会館 6階 6-65会議室
（〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8）

反応性スパッタリングは、酸化物・窒化物などの機能性薄膜形成に広く用いられる重要な成膜プロセスであり、半導体薄膜やエネルギーデバイスをはじめとする多岐にわたる分野において基盤技術として利用されている。一方で、プロセスの安定化、膜組成・結晶性の精密制御、さらにはプラズマ状態の理解と制御など、基礎から応用に至るまで多くの課題と発展の余地が残されている。近年では、反応性スパッタリングにおける非平衡成長制御や機能性薄膜の高機能化に関する研究が著しく進展しており、特に磁性薄膜材料におけるスピン機能の発現・制御を通じたスピントロニクス応用への展開が期待されている。本研究会では、「反応性スパッタとその機能性」をテーマとして、これらの最先端の研究動向や応用事例について、大学・国立研究機関・企業でご活躍中の講師の先生方をお招きし、ご講演いただく予定である。分野を越えた活発な意見交換と交流の場としてもご活用いただきたく、新たな研究の方向性や連携の可能性について議論する場となることを期待している。

テーマ
反応性スパッタリングによる次世代機能性薄膜の最前線

プログラム　※講演時間40分（質疑応答5分間含む）
13:00～13:05　開会の挨拶　　日本表面真空学会SP部会 部会長（成蹊大学）中野 武雄

13:10～13:50　SP部会賞受賞記念講演
「EC7430誘電体膜成膜用スパッタリング装置の開発・製品化」
（キヤノンアネルバ株式会社）花咲 武典

13:50～14:30
「反応性スパッタリング法による酸化鉄薄膜成長とプラズマ発光スペクトル分析」
（筑波大学）柳原 英人

14:30～15:10
「反応性スパッタリング法で作製する二次元層状物質マキシンの開発と磁気メモリデバイスへの展開」
（物質・材料研究機構）磯上 慎二

15:10～15:30　休 憩

15:30～16:10
「遷移金属酸化物エピタキシャル薄膜における水素誘起量子相転移とその制御」
（大阪大学）田中 秀和

16:10～16:50
「反応性スパッタリング法による ScAlN薄膜の成長と圧電性評価」
（早稲田大学）柳谷 隆彦

16:50～16:55　閉会の挨拶　　日本表面真空学会 SP部会 副部会長（東京都立大学）清水 徹英

35名

SP部会会員：無料
日本表面真空学会個人正会員：23,000円
日本表面真空学会法人正会員、維持会員、賛助会員に属する方：18,000円
教育機関、公的機関に属する方：12,000円
学生：  1,000円
一般：28,000円
（資料代・消費税を含む）

＊日本表面真空学会法人正会員、維持会員、賛助会員の企業名はこちらをご確認ください。

こちらの申込フォームからお申し込みください。
※お申し込み完了後、受付完了メールが自動返信されます。
　受付完了メールが届かない場合は、office@jvss.jp へご連絡ください。

申込締切　2026年5月26日（火）

銀行振込（申込受付完了後、請求書をメール添付でお送りします。）

銀行振込のため領収書は発行いたしません。銀行が発行いたします受領書をもって本会の領収書に代えさせていただきます。

なお、「参加者の都合による取消し及び不参加」の場合、参加費の払い戻しはいたしません。
ただし、参加者の変更は差し支えありません。

問合せ先
公益社団法人日本表面真空学会 事務局　E-mail: office@jvss.jp

本件担当
日本表面真空学会 SP部会 （早稲田大学）賈 軍軍、（キヤノンアネルバ(株)）入澤 寿和