認定試験例題

　表面科学技術者資格認定試験例題・解説

■　No. 1 (2013年9月)

例題１（基礎編）表面の原子レベルの構造
例題２（基礎編）電子放出
例題３（技術編）薄膜
例題４（分析各編）表面分析法
例題５（分析各編）化学シフト

Vol. 34, No. 9 (2013) p. 510

■　No. 2 (2013年10月)

例題６（基礎編）逆格子ベクトル
例題７（基礎編）エネルギー，運動量，波長
例題８（技術編）電気めっき法と真空蒸着法
例題９（技術編）気体の圧力
例題10（分析各編）電子エネルギー損失分光法
例題11（分析各編）X線回折

Vol. 34, No. 10 (2013) p. 557

■　No. 3 (2013年11月)

例題12（基礎編）統計誤差
例題13（基礎編）表面電子状態

Vol. 34, No. 11 (2013) p. 610

■　No. 4 (2013年12月)

例題14（分析編）オージェ電子分光の基礎
例題15（分析編）オージェ電子分光の実例

Vol. 34, No. 12 (2013) p. 666

■　No. 5 (2014年1月)

例題16（基礎編）回折の基礎
例題17（基礎編）X線回折

Vol. 35, No. 1 (2014) p. 65

■　No. 6 (2014年2月)

例題18（分析各論編）EPMA その1
例題19（分析各論編）EPMA その2

Vol. 35, No. 2 (2014) p. 118

■　No. 7 (2014年3月)

例題20（分析各論編）AESとXPS
例題21（分析各論編）XPS

Vol. 35, No. 3 (2014) p. 168

■　No. 8 (2014年4月)

例題22（基礎編）原子と固体の電子状態
例題23（基礎編）吸着のエンタルピー

Vol. 35, No. 4 (2014) p. 225

■　No. 9 (2014年5月)

例題24（分析各論編）エピタキシャル膜の構造
例題25（分析各論編）AESによる深さ方向分析

Vol. 35, No. 5 (2014) p. 272

■　No. 10 (2014年6月)

例題26（基礎編）ナノスケール摩擦
例題27（基礎編）真空を必要とする分析法
例題28（基礎編）真空中での結晶表面

Vol. 35, No. 6 (2014) p. 328

■　No. 11 (2014年7月)

例題29（分析各論編）深さ方向分析
例題30（分析各論編）深さ方向分析の実際

Vol. 35, No. 7 (2014) p. 393

■　No. 12 (2014年8月)

例題31（基礎編）仕事関数
例題32（基礎編）電界電子放出

Vol. 35, No. 8 (2014) p. 462

■　No. 13 (2014年9月)

例題33（基礎編）赤外分光法
例題34（分析各編）赤外分光法とラマン分光法
例題35（分析各編）ラマン分光法

Vol. 35, No. 9 (2014) p. 520

■　No. 14 (2014年10月)

例題36（基礎編）平衡状態
例題37（基礎編）界面とは
例題38（基礎編）酸化とは

Vol. 35, No. 10 (2014) p. 583

■　No. 15 (2014年11月)

例題39（分析各論編）RHEEDの基礎
例題40（分析各編）RHEED/LEEDの基礎

Vol. 35, No. 11 (2014) p. 637

■　No. 16 (2014年12月)

例題41（基礎編₃₇）薄膜成長とRHEED
例題42（基礎編₈₈）薄膜の基礎

Vol. 35, No. 12 (2014) p. 691

■　No. 17 (2015年1月)

例題43（基礎編₁₇）表面エネルギー

Vol. 36, No. 1 (2015) p. 51

■　No. 18 (2015年2月)

例題44（基礎編₅₈）イオン散乱
例題45（基礎編₅₉）イオン散乱

Vol. 36, No. 2 (2015) p. 96

■　No. 19 (2015年3月)

例題46（基礎編₆₉）分析法総論
例題47（基礎編₆₀）X線に関連する分析法
例題48（基礎編₆₁）電子線に関連する分析法

Vol. 36, No. 3 (2015) p. 147

■　No. 20 (2015年4月)

例題49（基礎編₁₁₆）走査トンネル顕微鏡
例題50（基礎編₁₅₅）STMの分解能

Vol. 36, No. 4 (2015) p. 212

■　No. 21 (2015年5月)

例題51（基礎編₁₀）内殻準位
例題52（基礎編₁₁）原子内の電子配置

Vol. 36, No. 5 (2015) p. 268

■　No. 22 (2015年6月)

例題53（技術編₄）気体分子の平均自由行程
例題54（技術編₅）気体分子の平均速度

Vol. 36, No. 6 (2015) p. 324

■　No. 23 (2015年7月)

例題55（分析各論編₁₅₈）ダイナミックSIMS (1)
例題56（分析各論編₁₆₀）ダイナミックSIMS (2)

Vol. 36, No. 7 (2015) p. 387

■　No. 24 (2015年8月)

例題57（分析各論編₁₉）TEM-EDS
例題58（分析各論編₇₉）X線面内回折法
例題59（分析各論編₈₂）X線反射率

Vol. 36, No. 8 (2015) p. 435

■　No. 25 (2015年10月)

例題60（分析各論編₂₄）STMの基礎 (1)
例題61（分析各論編₃₀）STMの基礎 (2)
例題62（分析各論編₃₉）STMの基礎 (3)

Vol. 36, No. 10 (2015) p. 549

■　No. 26 (2015年11月)

例題63（分析各論編₁）半導体表面の汚染
例題64（分析各論編₇₉）シリコン(001)表面

Vol. 36, No. 11 (2015) p. 595

■　No. 27 (2015年12月)

例題65（基礎編₂₄）最密充填構造
例題66（基礎編₂₇）最密充填構造の充填率
例題67（基礎編₃₀）表面充填率

Vol. 36, No. 12 (2015) p. 650

■　No. 28 (2016年1月)

例題68（基礎編₄₀）各種エネルギーのスケール

Vol. 37, No. 1 (2016) p. 43

■　No. 29 (2016年2月)

例題69（分析各論編₈₀）X線回折のバックグラウンド
例題70（技術編₆₀）実験室系のX線

Vol. 37, No. 2 (2016) p. 95

■　No. 30 (2016年3月)

例題71（基礎編₉₅）半導体表面界面での電気伝導

Vol. 37, No. 3 (2016) p. 141

■　No. 31 (2016年4月)

例題72（基礎編₈）原子内の電子配置 (2)
例題73（基礎編₉）原子内の電子配置 (3)

Vol. 37, No. 4 (2016) p. 192

■　No. 32 (2016年5月)

例題74（基礎編₅₂）表面分析プローブ
例題75（基礎編₅₃）電磁波と物質の相互作用
例題76（基礎編₅₄）X線と物質の相互作用

Vol. 37, No. 5 (2016) p. 242

■　No. 33 (2016年6月)

例題77（基礎編₁₂₆）X線の散乱

Vol. 37, No. 6 (2016) p. 278

■　No. 34 (2016年7月)

例題78（技術編₁₅）真空ポンプ

Vol. 37, No. 7 (2016) p. 332

■　No. 35 (2016年8月)

例題79（技術編₄₀）中エネルギーイオン散乱
例題80（技術編₄₁）低エネルギーイオン散乱

Vol. 37, No. 8 (2016) p. 396

■　No. 36 (2016年9月)

例題81（技術編₂₉）EDSとWDS
例題82（技術編₅₈）EDSとWDS （その2）

Vol. 37, No. 9 (2016) p. 461

■　No. 37 (2016年10月)

例題83（技術編₄₈） F T I R

Vol. 37, No. 10 (2016) p. 517

■　No. 38 (2016年11月)

例題84（技術編₃₇）電子回折とTEM像

Vol. 37, No. 11 (2016) p. 574

■　No. 39 (2017年1月)

例題85（技術編₃₅）静電半球型電子分光器

Vol. 38, No. 1 (2017) p. 46

■　No. 40 (2017年2月)

例題86（分析各論編₉₅）エリプソメトリ

Vol. 38, No. 2 (2017) p. 96

■　No. 41 (2017年3月)

例題87（基礎編₇₇）電子線の屈折
例題88（分析各編₁₂₃）X線の屈折

Vol. 38, No. 3 (2017) p. 140

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