(a)SrTiO3基板と2層のSrIrO3に挟まれたSrRu3の層数(m)が5の時のホール抵抗率と,
抵抗率への異常ホール効果とトポロジカルホール効果からの寄与。(b) m = 7の時のホール抵抗率。
(c) m = 5の時トポロジカルホール効果は広い温度と磁場の範囲で観測され,
この結果は特殊なスピン構造が二次元性の高いスキルミオンであることを示唆する。
表面科学 第38巻 第12号 (2017) p. 614 |
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Vol. 32 (2011) No. 3, p. 128
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■ 巻頭言
■ 特 集:酸化物表面・界面における制御された新奇電子状態とその構造
■ 連載企画
■ 談話室
■ 先端追跡
■ 小特集
■ 談話室(拡大編集後記)
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