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モンテカルロシミュレーションから計算した50 nm幅で高さの異なる配線断面における電子ドリフト速度分布と，伝導電子の運動軌跡方向
| 表面科学 第35巻 第5号 (2014) p. 250 |
LSI配線
宝川 幸司
Vol. 10 (1989) No. 4 P 290-295
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■ 巻頭言
■ 特集：LSIの配線技術と表面・界面の科学
■ 連載企画
■ 談話室
■ 表面科学技術者資格認定試験例題
■ 先端追跡
■ FOCUS on e-JSSNT
■ 編集後記
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本誌におけるLSI関連の特集号は，主にゲートスタックに関するもので，配線材料の特集は初めてである。LSIの配線材料は，最近では銅が主成分になっている。また，パラダイムシフトによって微細化以外の方法で，高性能・高機能化を目指すことも選択肢になる時代がやってきた。デバイスを3次元積層することで，高速にもかかわらず低消費電力で動作し，新たな機能を持つデバイスが実現されようとしている。本特集では，微細デバイスから3次元デバイスまでのLSI配線にかかわる最新の研究成果を第一線で活躍している先生方に解説していただいた。
（中村 誠）
本特集は，LSI配線の微細化の歴史と，さらに微細化を進める上での課題から微細化に頼らない高機能化向けの3次元集積用の配線技術に至るまで，すべてのLSI配線の現状を俯瞰すべく，各プロセスの第一人者の先生方にその現状と将来展望について表面科学を切り口に解説をしていただくという観点で企画したものです。本特集が読者の皆様に有益で，この分野の今後の研究と実用化の進展に寄与できれば幸いです。最後に，ご多忙にもかかわらず，論文執筆を快諾していただいた先生各位に，この場を借りて厚く御礼申し上げます。
（野平博司）
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