会誌「表面科学」

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 第31巻 第4号  2010年4月

Editor's Choice

Cat-CVD法によりテフロンコーティングした綿布地の写真

表面科学 第31巻 第4号 (2010) p. 178
Contents


■ 巻頭言

埋もれている大きな研究テーマ

松村英樹
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 177


■ 特集:触媒CVD法による薄膜・プロセス技術

(研究紹介)
触媒化学気相堆積法による薄膜形成

大平圭介,松村英樹
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 178



(研究紹介)
有機触媒CVDによる有機・無機ハイブリッド材料の低温成長

中山 弘
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 184



(研究紹介)
加熱金属触媒表面におけるラジカル生成機構

梅本宏信
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 191



(研究紹介)
接触分解反応によって生成した原子状水素による金属表面の洗浄

和泉 亮
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 196



(研究紹介)
触媒CVD法によるカーボンナノウォール成長

伊藤貴司
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 202


■ 実験ノウハウ

走査プローブ顕微鏡像の解析
—自己組織化膜の構造決定の際の留意点—


高見知秀
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 208


■ 先端追跡

[R-437] 非局所相関相互作用で CO adsorption puzzle は解決するか?
折田秀夫
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 213

[R-438] ナノスケールの散逸構造
掛札洋平
Vol. 31, No. 4 (2010) p. 213


■ FOCUS on e-JSSNT
e-JSSNT最新論文 No. 75 

■ 編集後記

 触媒を介して発生したラジカル支援気相成長法の展開として 「触媒CVD技術による薄膜・プロセス技術」と題した特集号を企画提案し, 5編の研究紹介記事を編集しました。 加熱したタングステンフィラメント表面において 水素分子の触媒分解反応で形成された水素ラジカルを利用して メタンガスからダイヤモンドを合成する手法に着目して, タングステン表面の化学反応を半導体プロセスに応用することを発端に触媒CVD (Cat-CVD: Catalytic CVD, Hot-wire CDV) と呼ばれ, ラジカル支援気相成長法としては スパッタリングやプラズマCVDが歴史・技術的に確立されていますが, 液晶ディスプレイ,有機ELデバイス,太陽電池などの分野で プラズマ損傷を抑制した低温成膜法として注目されています。 触媒CVD技術を含む表面科学の今後の進展に期待します。 本特集号に快く研究紹介記事を寄稿して下さりました著者の先生方に感謝いたします。
(中村篤志)


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