会誌「表面科学」

[前号 (Vol. 31, No. 2)] [次号 (Vol. 31, No. 4)] [会誌 総目次]

 第31巻 第3号  2010年3月

Editor's Choice

Siプラズマ気相堆積過程において考え得る水素反応

表面科学 第31巻 第3号 (2010) p. 124
Contents


■ 巻頭言

プラズマ誘起表面科学の魅力

堀 勝
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 123


■ 特集:プラズマが誘起する表面反応

(研究紹介)
水素ラジカルが誘起するSi表面反応

並木 章
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 124



(研究紹介)
プラズマを用いたアモルファス・微結晶シリコン成膜の表面反応と膜成長過程

外山利彦
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 131



(研究紹介)
核融合炉におけるプラズマ・壁相互作用

吉田直亮
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 137



(研究紹介)
プラズマCVD法を用いたカーボンナノウォールの形成

平松美根男,堀 勝
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 144



(研究紹介)
低誘電率膜中の炭素種に対するプラズマプロセスの影響

栗原一彰,中崎 靖
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 150



(研究紹介)
アモルファス炭素膜のプラズマ気相化学堆積過程の観察

篠原正典,松田良信,藤山 寛,中谷達行
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 156


■ 研究紹介

グラフェンスピントロニクス
白石誠司
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 162


■ 先端追跡

[R-435] 透明酸化物半導体薄膜トランジスタの研究
植杉克弘
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 169

[R-436] 分子ヘテロ接合における電荷分離ダイナミクスの第一原理計算
尾上 順
Vol. 31, No. 3 (2010) p. 169


■ FOCUS on e-JSSNT
e-JSSNT最新論文 No. 74 

■ 編集後記

 プラズマは,LSI製造プロセスでのエッチングをはじめ, 様々な分野での薄膜形成や表面処理などに用いられ,現代に欠かせないツールになっています。 プラズマプロセスに対する要求はますます厳しいものになっているため, これまで以上に正確なプラズマプロセスの制御が必要です。 そのためには,気相中のプラズマの制御だけでなく, エッチングや膜堆積におけるプラズマが誘起する表面反応を 原子レベルで理解することが必要となっています。 さらに,材料・デバイスの分野に留まらず, 核融合の分野においても炉壁のダメージの解明には, プラズマと炉壁の相互作用の解明が必要と認識されてきています。
 今後のプラズマの研究の発展には, プラズマ-表面相互作用を表面科学の観点からも取り組むことが重要であると思います。 そこで,本号では, プラズマが誘起する表面反応につきまして特集を企画提案し, 編集をさせていただきました。 表面科学に取り組んでおられる会員の皆様に プラズマの研究にも取り組んでいただけましたら幸いです。 最後になりましたが,本特集号に快く研究紹介を寄稿していただきました著者の方々に 感謝いたします。
(篠原正典)


Contents


[前号 (Vol. 31, No. 2)] [次号 (Vol. 31, No. 4)] [会誌 総目次]