[前号 (Vol. 29, No. 2)] [次号 (Vol. 29, No. 4)] [会誌 総目次]
ユニークな物質の代表者 “汝の名はダイヤモンド” 平木昭夫 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 143
(研究紹介) 水素終端ダイヤモンド表面近傍に存在するp型表面蓄積層 川原田洋，平間一行，荻原大輔 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 144
(研究紹介) ダイヤモンド表面の全光電子放出率分光法 (TPYS) 竹内大輔，山崎 聡 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 151
(研究紹介) 水素終端ダイヤモンドFETのゲート金属界面 嘉数 誠，植田研二，影島博之 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 159
(研究紹介) ダイヤモンド電極を用いた電気化学センサー 栄長泰明 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 164
(研究紹介) リンドープCVDダイヤモンドの表面電子エネルギー状態と電子放出 河野省三 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 173
(研究紹介) 光化学反応を利用したダイヤモンド系材料のフッ素官能基化学修飾 中村挙子 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 181
(研究紹介) 電子光学装置用ダイヤモンド電子源の作製とエネルギー分散評価 植田暁彦，山本喜之，西林良樹，今井貴浩 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 187
強力二色X線源の開発 鈴木篤史，橋本明奈，尾張真則，野島 雅，二瓶好正 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 193
摩擦の素過程と動的制御の物理—理論的アプローチ— 川口高明 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 195
(第一原理計算 応用編 ①) 第一原理電子状態計算による赤外吸収分光，および，高分解能電子エネルギー損失分光(HREELS)の評価 森川良忠 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 202
[R-387] ナノポアを用いたDNAシークエンシング 庭野道夫 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 206
[R-388] 半導体表面での有機分子の化学吸着 赤木和人 Vol. 29, No. 3 (2008) p. 206
