[前号 (Vol. 21, No. 10)] [次号 (Vol. 21, No. 12)] [会誌 総目次]
多様化が求められる薄膜創製技術 庭野道夫 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 687
(解説) シリコン基板の加工技術と加工表面品質 河西敏雄 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 688
(解説) III-V化合物半導体基板 大坂次郎 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 696
(研究紹介) 完全エピタキシーを目指した金属酸化物基板の原子レベル表面制御 川崎雅司，Mikk LIPPMAA，中村 仁，高橋和浩，鯉沼秀臣 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 702
(解説) 金属単結晶基板 後藤芳彦，川野輪仁，城 貞晴 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 710
(解説) 層状物質基板 上野啓司，小間 篤 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 716
(解説) マイカ上のAu(111)単結晶基板—その作製法と表面再配列構造の最近の話題— 原 正彦 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 724
(まとめ) 単結晶基板の表面を比較する—特集のまとめ— 山本秀樹，渡辺 悟 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 731
GaAs(001)表面の仕事関数のMBE成長中測定と解析 東野徒士之，棚橋克人，河村裕一，井上直久，大坂次郎，本間芳和 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 734
ハロゲンによるSi(100)-2×1表面のエッチング 中山幸仁，Celso M. ALDAO，John H. WEAVER Vol. 21, No. 11 (2000) p. 738
第2回走査プローブスペクトロスコピー国際会議 高橋琢二 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 751
[R-236] 光反応性表面の濡れ性を利用した液体の駆動 安部浩司 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 753
[R-237] Fowler-Nordheimの式の新しい意味 安達 洋 Vol. 21, No. 11 (2000) p. 753
