[前号 (Vol. 21, No. 2)] [次号 (Vol. 21, No. 4)] [会誌 総目次]
窒化物半導体の結晶成長と界面制御 赤崎 勇 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 125
(解説) サファイア基板上III族窒化物半導体成長における低温堆積層 天野 浩, 赤崎 勇 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 126
GaN(0001)表面の再構成構造—第一原理計算とSTMによるアプローチ— 大野隆央，Qi-Kun XUE，桜井利夫 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 134
同軸型直衝突イオン散乱分光法による窒化物半導体の極性評価 —GaN薄膜堆積プロセスと成長方位との相関— 角谷正友，大西 剛，伊藤孝浩，福家俊郎 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 142
光反射法を用いた窒化ガリウムMOVPE成長のその場観察 小林直樹，小林康之 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 148
窒化物半導体結晶のエピ成長と欠陥発生 桑野範之，沖 憲典，平松和政 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 155
X線CTR散乱法およびX線反射率測定で見たサファイア基板上の窒化物成長過程 田渕雅夫，竹田美和，竹内哲也，天野 浩，赤崎 勇 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 162
MBE成長窒化物半導体の表面構造 奥村 元，沈 旭強，井手利英，清水三聡，原 史朗，園田早紀，清水三郎 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 169
SIMSにおける試料冷却法 林 俊一 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 177
マイクロおよびナノデバイス作成のための表面科学国際シンポジウム報告 河津 璋 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 179
[R-224] 新しいスピン偏極電子線源 堀尾吉已 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 181
[R-225] 規則性ナノポーラス及び規則性ナノレリーフセラミックス膜の作製 藤 正督 Vol. 21, No. 3 (2000) p. 181
