[前号 (Vol. 20, No. 11)] [次号 (Vol. 21, No. 1)] [会誌 総目次]
ステップの功罪 (image PDF 79K) 村田好正 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 823
(研究紹介) 表面原子のドリフトによるステップのバンチング 金子克美 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 824
(研究紹介) Si微斜面での通電効果と表面形態 八木克道，出川雅士，西村穂積，鈴木孝将，箕田弘喜，谷城康眞 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 830
(研究紹介) 実効的キンクエネルギーとステップ・スティフネス 阿久津典子，阿久津泰弘，山本隆夫 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 837
(研究紹介) SiとGaAs分子線エピタクシャル成長中のステップダイナミックス 川村隆明，石井 晃 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 845
(研究紹介) Si表面上のAu吸着誘起ステップバンチングのダイナミクス 箕田弘喜 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 853
(研究紹介) Si表面における人工構造物の蒸発による変化 本間芳和，日比野浩樹，国井泰夫，荻野俊郎 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 859
(研究紹介) Si(111)表面上の孤立したシリコン島状結晶の緩和過程 一宮彪彦，林 和彦 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 865
メカノキャタリシスによる水分解の理論的説明について 太田時男 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 872
埋め込み金属層基板を用いた赤外反射吸収分光法と放射光励起表面反応 平野真也，野田英之，吉越章隆，宇理須恒雄 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 875
粘土瓦を顕微鏡で科学する 北野保行，田辺栄司 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 882
光電子分光の試料冷却 横谷尚睦，木須孝幸，辛 埴 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 890
ロゴマークの●の数はなぜ3なのか？ (image PDF 86K) 村田好正 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 892
[R-218] 実デバイス条件での有機/金属界面におけるショットキー障壁の金属依存性 関 一彦 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 893
[R-219] InAs(110)表面のSTM探針誘起量子ドット 高橋琢二 Vol. 20, No. 12 (1999) p. 893
