[前号 (Vol. 20, No. 9)] [次号 (Vol. 20, No. 11)] [会誌 総目次]
「毒」にも「薬」にもなる水素の働きと表面科学 (image PDF 66K) 尾浦憲治郎 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 679
(解説) 水素終端シリコン表面の形成 森田行則，徳本洋志 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 680
(研究紹介) 水素終端表面の構造と動力学 田上勝規，塚田 捷 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 685
(研究紹介) 水素化Si(100)面上のステップ構造とIV族アドアト厶の拡散 押山 淳，Sukmin JEONG Vol. 20, No. 10 (1999) p. 690
(研究紹介) 水素吸脱着によるSiGe表面の構造変化 小林慶裕，白石賢二，住友弘二，荻野俊郎 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 696
(研究紹介) 水素終端シリコン表面の酸化と水素の役割 財満鎭明，池田浩也，安田幸夫 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 703
(研究紹介) シリコン表面の未結合ボンドでの初期酸化反応 梶山博司，平家誠嗣，橋詰富博，加藤弘一，内山登志弘，宇田 毅 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 711
(研究紹介) シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光 櫻井 亮，青野正和 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 716
表面粗さの評価/パワースペクトル密度と傾きヒストグラ厶 小澤 亮，鈴木 豊，森 尚子，矢口富雄，伊藤順司，山本恵彦 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 727
Si/SiO2界面の構造と電子状態 金田千穂子，山崎隆浩，宇田 毅，内山登志弘，寺倉清之 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 732
電子レンジを用いた物質合成 加藤雅恒，榊原健二，小池洋二 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 737
第10回走査トンネル顕微鏡/分光および関連近接プローブ顕微鏡国際会議 (image PDF 154K) 高橋琢二 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 742
[R-214] 表面磁性原子による伝導電子の散乱 小森文夫 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 744
[R-215] 表面電荷密度波 重川秀実 Vol. 20, No. 10 (1999) p. 744
