[前号 (Vol. 19, No. 2)] [次号 (Vol. 19, No. 4)] [会誌 総目次]
“表面”と“結晶成長” (image PDF 63K) 西本 頒 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 137
(解説) 表面のための電子状態理論 塚田 捷 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 138
(解説) 半導体表面の成長機構と第一原理計算 押山 淳 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 141
(解説) 光刺激脱離過程に対する理論的アプローチ 相澤秀昭，常行真司 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 147
(解説) 化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル 白石賢二 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 154
(解説) 原子マニュピレーションと原子コンタクト 小林伸彦，塚田 捷 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 161
(解説) アルカリ原子吸着金属表面の超構造 —第一原理からのアプローチ— 小口多美夫，大崎一朗 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 167
(解説) Si表面の酸化素過程の理論 宇田 毅，加藤弘一 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 173
XPSによる多結晶Rh表面におけるNOの解離吸着挙動の研究 斉藤 健，江坂文孝，古谷圭一，島田弘道，今村元泰，松林信行，佐藤利夫，西嶋昭生，菊池 正 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 179
グラファイト(0001)面への酸素吸着量の流量法による研究 吉田 巖，杉田利男 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 186
シリコン表面構造と表面電気伝導 (2) 長谷川修司，〓 暁，中島雄二，姜 春生，長尾忠昭 （〓は人偏に冬） Vol. 19, No. 3 (1998) p. 193
薄膜成長の素過程 —量子化学計算からのアプローチ— 平岡佳子 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 201
STMで用いる直接通電加熱 佐藤智重 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 208
日独科学協力事業「表面動的過程の物理に関するセミナー」 (image PDF 234K) 笠井秀明 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 210
[R-171] 高分子表面のレーザーアブレーション 木村恒久 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 213
[R-172] 触媒表面の活性サイトはどこか？—ステップ表面上のCO酸化反応— 上塚 洋，国森公夫 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 213
[R-173] 表面の阻止能 城戸義明 Vol. 19, No. 3 (1998) p. 214
