[前号 (Vol. 18, No. 10)] [次号 (Vol. 18, No. 12)] [会誌 総目次]
エリプソメトリーに思うこと (image PDF 74K) 横田英嗣 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 663
(解説) 分光エリプソメータとデータ解析 関根国夫 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 664
(解説) 単結晶材料のモデル誘電関数(MDF)理論 安達定雄 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 669
(解説) 非晶質材料の経験的誘電関数と膜厚揺らぎモデル 山口十六夫 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 676
(解説) 偏光解析法における膜厚測定および有効媒質近似理論 川畑州一 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 681
(解説) UV-IR分光エリプソメトリーによるシリコン薄膜堆積初期過程の評価 白井 肇 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 687
(解説) 分光エリプソメトリーを用いた薄膜成長の実時間観察と制御 齋藤 忠 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 695
Eley-Rideal反応の2次元トラジェクトリー計算 中村一隆，北島正弘 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 700
2：1型粘土鉱物表面の電荷分布 長崎晋也，梅村康洋，田中 知，鈴木篤之 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 702
固体NMRにおける新技術のマイクロポーラスマテリアルへの応用 林 繁信 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 705
高分子化合物のCK殻吸収端における共鳴光電子分光 菊間 淳 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 711
困ったときの電気陰性度 兵頭志明 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 717
第2回分光エリプソメトリー国際会議（ICSE-2）の報告 (image PDF 109K) 齋藤 忠 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 723
[R-161] MoO3/SiO2，V2O5/SiO2触媒によるメタン部分酸化反応の反応機構に関する研究 後藤昭雄，泉 康雄 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 725
[R-162] 針状でない試料でも分析できるアトムプローブ法 安達 洋 Vol. 18, No. 11 (1997) p. 725
