[前号 (Vol. 15, No. 1)] [次号 (Vol. 15, No. 3)] [会誌 総目次]
スタティックとダイナミック (image PDF 64K) 西永 頒 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 65
(解説) シリコンのラテラル固相エピタキシ− 茂庭昌弘，大倉 理 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 66
(解説) Si表面の金属吸着による再構築現象—高温STMによる“その場”観察— 柴田晃秀，高柳邦夫 Vol. 15, No. 2 (1994) p.74
(解説) 酸化物のエピタキシーと界面 坂東尚周 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 79
(解説) 金属人工格子とエピタキシー 新庄輝也 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 85
(解説) ダイヤモンドのエピタキシー 佐藤洋一郎 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 91
(解説) 半導体ホイスカーの成長, 構造と物性 比留間健之，矢沢正光，勝山俊夫，小川憲介，柿林博司，高口雅成 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 96
(ポピュラーサイエンス) SIMOX技術によるSOI（silicon-on-insulator）構造の形成過程 吉野 明 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 101
プラズマ重合コーティングによる二酸化チタンのハイブリッド化と表面性質 井原辰彦，大戸理雅，入山 裕，木卜光夫 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 106
タンタル陽極酸化膜の絶縁性における窒素ドープの効果 中村好伸，山本智彦，岡本康成，森本 弘，赤木与志郎 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 111
化合物半導体の結晶粒界の理論的研究—SiC中の規則粒界の分析 香山正憲，山本良一 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 116
第16回表面科学基礎講座—表面・界面の分析の基礎と応用— (image PDF 77K) 小蒲哲夫，越川孝範 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 123
[R-47] STMで表面電子閉じこめをコントロール 渡辺美代子 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 124
[R-48] 軟X線発光分光による表面局所状態密度の測定 枝元一之 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 124
[R-49] III-V族化合物半導体表面上の硫黄 福田安生 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 125
[R-50] ESDによる量子状態を選別した中性脱離種の角度分布測定 佐々木岳彦，岩澤康裕 Vol. 15, No. 2 (1994) p. 125
