会誌「表面科学」

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 第13巻 第6号  1992年8月


■ 巻頭言

表面水素研究の推進を (image PDF 66K)
塙 輝雄
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 323


■ 特集:半導体表面および薄膜成長プロセスにおける水素の役割

(解説)
水素終端 Si 表面の自然酸化

広瀬全孝,高倉 優,八坂龍広,宮崎誠一
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 324



(解説)
Si 表面清浄化と成膜における表面水素
—HF/UVOC法とシランALE—


末光眞希
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 332



(解説)
電子励起脱離法による固体表面上の水素の高感度検知

上田一之,児玉真二,高野暁巳
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 339



(解説)
イオンビームによる表面水素の定量とその表面研究への応用

尾浦憲治郎
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 344



(解説)
シリコン結晶中の水素の電子状態と構造

吉田 博,佐々木泰造
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 351



(解説)
Si プロセスと Si-H
—FTIR-ATRによる表面反応過程の研究—


川村剛平,石塚修一,坂上弘之,堀池靖浩
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 358


■ 論文

光表面反応によるCOとH2O分子からのメタノールの合成

渡辺正夫
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 365


■ ポピュラーサイエンス

電界放出型走査電子顕微鏡の開発

菰田 孜
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 376


■ 談話室

無機リン酸塩材料国際シンポジウム報告 (image PDF 86K)
近澤正敏
Vol. 13, No. 6 (1992) p. 382


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