日本表面真空学会

2019年9月4日（水）15:00～17:00（受付14:30～）

パシフィコ横浜 展示ホール2階 会議室E204　交通アクセス
（神奈川県横浜市西区みなとみらい1-1-1）

講　　師： 中村 友二（東京工業大学 未来産業技術研究所 特任教授）

講義内容： １．シリコン半導体集積回路：微細化と素子構造
                ２．シリコン半導体集積回路：製造プロセスの変遷
                ３．成膜技術と構造・物性評価：スパッタ、CVD

参加のおすすめ
　シリコン半導体集積回路の製造工程に、真空技術が不可欠であることは言うまでもありません。今回、シリコン半導体製造工程における薄膜作製プロセスを中心に、素子構造と製造プロセスの変遷を振り返ります。また、実現したい素子の特性・構造、スパッタ技術・CVD技術による成膜プロセス、および薄膜の構造・物性との関係について紹介します。

54名

一般 （ 会員・非会員 ）5,000円、学生 1,000円 （テキスト代・消費税込）
※テキストは講義で使用するPPTファイルを1ページ4スライドでモノクロ印刷したものです。

申込みは終了しました。

当日、会場（会議室E204）前の受付にてお支払いください。領収書を発行します。
※なるべくお釣りのないようご準備ください。

問合せ先：　公益社団法人日本表面真空学会
                  TEL 03-3812-0266　　FAX 03-3812-2897
                  E-mail: office@jvss.jp

「VACUUM2019 真空展」ホームページ： https://biz.nikkan.co.jp/eve/vacuum/