日時　2025年2月16日（日）14時～16時（13時開場）

場所　北海道大学コミュニティハウス　エンレイソウ　第二会議室（ハイブリッド）

協賛　北大テックガレージ

講師　島田敏宏（北海道大学）　演示実験講義　半導体の基礎、ICの分解・観察とリソグラフィ:　生成AIによるシンギュラリティがなぜ今起こりつつあるのか
　　　松本祐司（東北大学）　半導体結晶の高温成長観察に挑戦：その技術的課題と解決策。1800℃のSiの高温液体の中で成長する炭化ケイ素の結晶

【内容紹介】
最近、格安のオープンソースAIであるDeepSeekがニュースになりましたが、100億パラメータを超えたあたりで生成AIの性能が飛躍的に向上し、ついに「シンギュラリティ」が来つつある印象を受けています。下記企画の1つ目の講演では、学部・大学院講義の一部も使って生成AIの簡単な仕組みと半導体の関係を解説しつつ（なぜ今なのか？）、ICの分解やリソグラフィの仕組みを実演します。2つ目の講演では、パワー半導体を支える材料の結晶薄膜成長のその場観察等、最先端研究を紹介します。

一部録画があります。問合先　島田（北海道大学） shimadat@eng.hokudai.ac.jp

日時　2025年3月10日(月)午後～11日(火)

場所　TKP札幌ビジネスセンター赤レンガ前（ハイブリッド）

https://www.kashikaigishitsu.net/facilitys/bc-sapporo-akarenga

参加費　聴講は無料（要登録の予定）、発表は有料

講演申込と参加登録はこちら　https://forms.gle/JcKjKnNZ3HcvtmyE6
・講演申込の締切：２月２８日（金）
・オンラインの接続方法をお知らせしますので，聴講のみの場合もご登録お願いします。

予稿提出について
・予稿のPDFファイルを，３月５日（水）までに，予稿アップロードフォームから提出してください。

招待講演者

高桑雄二先生（東北大学）　「その場観察光電子分光と光電子制御プラズマCVD」
長島一樹先生（北海道大学）「核形成・結晶成長で設計する金属酸化物ナノ構造体の化学合成 」
高橋竜太先生（日本大学）「真空アブレーションを用いたハライドペロブスカイト薄膜の機能デバイス 」
江口卓弥先生（日本大学）「Si系負極リチウムイオンキャパシタの長寿命化」
武安光太郎先生（北海道大学）「表面科学を基盤とした電気化学反応触媒の理解と設計」
福島知宏先生（北海道大学）「水電解反応の分子プロセス解析」
簾　智仁先生（東京大学）「アナターゼ型TiO2系透明導電体中の格子間酸素のふるまい」

参加申し込み・予稿提出方法(2/28締切予定）など、今後、情報を追加します。

お問い合わせは shimadat@eng.hokudai.ac.jp　までお願いします。