開催日時
開催場所
テーマ:新奇な薄膜・表面現象とその応用の最前線
九州・沖縄・山口の大学や企業で活躍する薄膜・表面関連分野の研究者が、互いの研究成果を交換し合い、薄膜・表面における種々の新奇な現象とその応用について幅広く議論する場を持つことは、これからの材料やデバイスの開発および関連する基礎技術の発展に極めて重要です。また、これは九州・沖縄・山口地方の薄膜・表面関連分野の研究活性化のみならず、大学院生及び若手研究者に対する教育事業の一環としても極めて有意義です。そこで、薄膜・表面に関連した分野、半導体表面、金属表面、磁性薄膜、有機分子薄膜、結晶成長、超微細加工、超格子デバイス、ナノ微粒子、プラズマ応用薄膜成長、放射光分析、炭素系新材料、ナノ応用デバイス、不均一触媒、摩擦応用、真空技術・ソフトマテリアルなどを対象に、下記の要領で研究会を開催いたします。
皆さまのご参加をお待ちしております。
・開催日時:2022年6月11日(土)9:00-18:00(予定)
・開催場所:佐賀大学本庄キャンパス 理工学部大学院棟301室
(〒840-8502佐賀県佐賀市本庄町1)
(新型コロナウイルスの感染状況によってはオンライン開催に変更します。)
・プログラム:PDF
・招待講演: 60分(質疑込み)
・小野寛太先生(大阪大学)
「量子ビームとインフォマティクス技術を組み合わせた先端ナノ計測」
・一般講演:
講演時間は15分(発表12分、質疑3分)です。
プロジェクタへの接続は、VGA端子とHDMI端子を使用できます。
・講演申込締切:5月13日(金) → 5月20日(金)に延長
・予稿集原稿提出締切:5月20日(金)
・講演申込方法
締切期日までに以下の事項を明記してメール送付先(ksaka@cc.saga-u.ac.jp 坂口幸一(佐賀大学))にお送りください。
・題目
・著者名(登壇者氏名の前に○印)
例 ) ○九州花子A、表面太郎B、真空二郎C、薄膜三郎A
・所属・勤務先略称(連名者の所属・勤務先が異なる場合は、著者名、所属・勤務先ともに半角英字A,B,Cを使用して区別する。)
例)A表面大学大学院工学研究科、B真空工業高等専門学校、C薄膜製作所
・研究キーワード(3個程度)
・学生講演奨励賞に応募する場合は、研究キーワードの後に「学生講演奨励賞に応募します」と必ず記入してください。
※学生講演奨励賞: 規程(pdf)
http://www.surf.ele.kyutech.ac.jp/kenkyukai/prize2018.pdf
・参加費:無料
・交流会:実施しません。
・主 催:日本表面真空学会九州支部
・共 催:佐賀大学
・運 営:高橋和敏、嘉数誠、坂口幸一、田中徹(佐賀大学)
・予稿提出先: ksaka@cc.saga-u.ac.jp 坂口幸一(佐賀大学)
予稿書式はこちらからダウンロードして下さい。
予稿集をご希望の方は下記にご連絡ください。
・問合せ先
高橋和敏(佐賀大学シンクロトロン光応用研究センター)
E-mail:ktaka@cc.saga-u.ac.jp
TEL:0942-82-8062
・参加登録 (Forms使用)
新型コロナウイルスの感染拡大防止の観点から、事前参加登録をお願いします。登録された情報は学術講演会の実施に必要な範囲のみに使用します。
https://forms.office.com/r/5YBwVPkcf6
・交通案内
・佐賀駅バスセンターからバスで約20分
「4番のりば」から4番佐賀女子短大行、又は市営バス11番 西与賀線で「佐賀大学西」下車「4番のりば」から市営バス12番 東与賀線で「佐賀大学東」下車
・佐賀駅からタクシーで約15分
・自家用車の場合、「佐大南入口」交差点より入り、ゲートで駐車場パスカードを取って入構して下さい。料金(200円/24時間)は出構時に精算機でお支払い下さい。
〇2022年度日本表面真空学会九州支部学術講演会(九州表面・真空研究会2022)での学生講演奨励賞を下記のように決定しました。(2022.6.17掲載)
氏名 蓮井悟朗
対象発表 6. 膜累積過程で形成される表面平滑な鉛層状ペロブスカイト膜
〇蓮井悟朗、久保明美、江良正直、成田貴行、大石祐司
佐賀大院理工
氏名 Muhamad Mustofa
対象発表 14. MBE growth and characterization of Phosphorus-doped ZnTe Thin films
〇 Muhamad Mustofa, Katsuhiko Saito, Qixin Guo, Tooru Tanaka
Saga Univ.
氏名 陳奕同
対象発表 20. 時間・角度分解光電子分光による硫化サマリウムにおける光励起バンド構造ダイナミクスの観測
〇陳奕同A、中村拓人B,A、渡邊浩B,A、鈴木剛C、任千慧C、 劉珂成C、 Yigui Zhong C、金井輝人C、 板谷治郎C、 辛埴D、 岡﨑浩三C、 井村敬一郎E、 鈴木博之C、 佐藤憲昭F、 木村真一B,A,G
A 阪大院生命機能、B 阪大院理、C 量研機構、D 東大物性、E 物材機構、F 分子研
氏名 岩城展世
対象発表 22. Mo(110)基板上におけるホウ素薄膜の作製
○岩城展世、中川剛志
九大総理工
氏名 山本晃大
対象発表 24. TEOSプラズマSiO2成膜に及ぼす振幅変調放電の効果
〇山本晃大A、長尾伊織A、山本祐馬A、大高真寛A、山下大輔A、鎌滝晋礼A、奥村賢直A、山下尚人A、板垣奈穂A、古閑一憲A,B、白谷正治A
A 九大、B 自然科学研究機構
以上、5件