第19回 日本表面真空学会中部支部学術講演会 講演募集

開催概要

中部地区における表面と真空に関する科学・技術の活性化、若手研究者の交流促進を目的に若手講演会を企画いたしました。 若手を自負する方であれば年齢は問いません。奮って講演に参加いただきたいと思います。 また、講演者の中から、講演奨励賞(博士・若手研究者部門†、学部・修士学生部門から若干名)を選出・表彰いたしますので、多数のご参加をお願いいたします。
† 博士・若手研究者部門は、博士課程の学生および大学・企業等の若手研究者(助教・ポスドク・研究員等)が対象です。
主催：
日本表面真空学会中部支部
日時：
2019年12月21日(土) 9:00〜17:00 (開始時刻は講演数で変動します)
会場：
名古屋大学 VBL ベンチャーホール (市営地下鉄名古屋大学駅3番出口より徒歩5分)
【名古屋大学へのアクセス】
プログラム：
------プログラムはこちら------
発表形式：
プロジェクターによる口頭発表：発表10分＋質疑応答5分の予定
発表にはご自分のＰＣおよびVGA出力アダプタをご用意ください。
チュートリアル講演：第一原理量子論による半導体デバイス材料・界面の物性予測
白石 賢二 教授（名古屋大学 未来材料・システム研究所）
半導体デバイスの微細化が急速に進むにつれて、従来の界面物理に加えてナノスケール界面に対する知見を獲得することが不可欠となっている。本講演では、界面反応の熱力学がショットキーバリア高さを決定する我々が構築したナノ界面物理の概念について紹介する。さらに、我々が構築したナノ界面物理の新概念が高誘電率絶縁膜を用いたLSI開発に果たした役割について解説し、次世代半導体デバイス開発における基礎物理の重要性にも触れる。
参加費：
日本表面真空学会会員 無料、非会員2,000円 (当日、受付にてお支払いください。当日入会も可)
講演奨励賞表彰式・懇親会：
名古屋大学 VBL ベンチャーホール(講演者 無料、学生 1,000円、一般 4,000円を予定)
講演奨励賞の受賞者発表と表彰式を行いますので、講演者は原則として参加してください。

講演予稿原稿の作成要領

講演予稿原稿はA4片面(1ページ)で作成してください。詳細なフォーマットは、 テンプレート(Word版) を参照してください。 予稿原稿は必ずPDF形式に変換し、ファイル名は「講演者氏名.pdf」としてください。 また、ファイルサイズは2MBを超えないよう、画像解像度などを調整してください。

講演・参加申込方法

講演する場合 (11月21日 受付開始)

メールタイトルは「講演申込：第19回日本表面真空学会中部支部学術講演会」とし、メール本文に

  1. 講演者氏名(ふりがな)
  2. 所属(大学名・学部等)、学年(または役職)
  3. E-mailアドレス
  4. 参加区分 (表面真空学会会員／非会員)、当日入会希望があればその旨記載
  5. 表彰式・懇親会の出欠

の各項目を記載、上記要領で作成した講演予稿原稿(PDFファイル)を添付して、

の宛にメールを送ってください。 講演予稿原稿を別送する場合には、上記に加えて講演題目もお知らせください。 講演申込は参加申込を兼ねていますので、別途参加申込は必要ありません。 なお、講演申込は1メール1件でお願いします。

講演申込〆切：2019年12月6日(金)

参加のみの場合 (12月1日 受付開始)

！！！参加のみの申込みは、12月1日(土)から受付開始です！！！

メールタイトルは「参加申込：第19回日本表面真空学会中部支部学術講演会」とし、メール本文に

  1. 氏名(ふりがな)
  2. 所属(大学名・学部等)、学年(あるいは役職)
  3. E-mailアドレス
  4. 参加区分 (表面真空学会会員／非会員)、当日入会希望があればその旨記載
  5. 表彰式・懇親会の出欠

の各項目を記載して、

宛にメールを送ってください。 一度に複数名をお申し込みの場合には、全ての参加者の情報を記入してください。

参加申込〆切：2019年12月13日(金)

いただいた情報は、学術講演会への講演者・参加者の把握・連絡にのみ使用いたします。

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